Le choix du semi-conducteur de puissance est essentiel pour l'efficacité et les performances de l'électronique moderne. Cette référence compare quatre technologies clés : les MOSFET Si et IGBT traditionnels, et les dispositifs à large bande interdite SiC et GaN. Les MOSFET Si restent rentables pour les applications basse tension, tandis que les IGBT dominent les scénarios haute tension et courant élevé comme les entraînements de moteurs. Les MOSFET SiC offrent des pertes de commutation plus faibles et une tolérance de température plus élevée, idéaux pour les onduleurs de traction de VE et les onduleurs solaires. Les HEMT GaN excellent dans les applications haute fréquence et moyenne tension telles que les alimentations de centres de données et la charge sans fil. La comparaison couvre les paramètres clés : tension nominale, vitesse de commutation, résistance à l'état passant et performances thermiques.
Une comparaison pratique des MOSFET Si, IGBT, MOS SiC et HEMT GaN pour l'électronique de puissance.