パワー半導体の選択は、現代のエレクトロニクスにおける効率と性能に重要です。このリファレンスは、従来のSi MOSFETとIGBT、そしてワイドバンドギャップのSiCとGaNデバイスの4つの主要技術を比較します。Si MOSFETは低電圧アプリケーションにコスト効率が良く、IGBTはモータードライブなどの高電圧・大電流シナリオで主流です。SiC MOSFETはスイッチング損失が低く、耐熱性が高く、EVトラクションインバーターや太陽光インバーターに最適です。GaN HEMTはデータセンター電源やワイヤレス充電などの高周波・中電圧アプリケーションに優れています。比較では、電圧定格、スイッチング速度、オン抵抗、熱性能などの主要パラメータをカバーしています。エンジニアはコスト、効率、システムの複雑さのトレードオフを考慮する必要があります。
Si MOSFET、IGBT、SiC MOS、GaN HEMTの実用的比較。